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走査電子顕微鏡法(SEM)および透過電子顕微鏡法(TEM)は、半導体装置を分析するための標準的な画像手法であり、品質管理手順、故障解析、または研究開発において非常に重大なツールを提供します。

両方の技術は、部品の垂直構造を検査するために、断面に適用できます。 さまざまな方法で断面解析が可能です。 集束イオンビーム(FIB)をSEMと組み合わせて使用すると、1つのツールでの最も一般的な調製技術となります。

SEMおよびTEMの断面像は、SGSの特化したサービスです。 光学顕微鏡で提供できるよりも高解像度の画像を必要とする場合、経験豊かなスタッフが、高性能機器を使用して、非常に詳細な画像を提供します。

以下に示すような多数の分析目的にSEMおよびTEMの断面像を使用します。

  • 物理的故障解析
  • 構造解析
  • 逆行分析

SEMおよびTEMの断面像によって、製品の品質管理における非常に重要なツールをどのように提供できるかについて詳細を確認するには、SGSにお問い合わせください。